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半導體探測器在儀器中的應用-中子檢測儀_輻射劑量率儀_輻射巡檢儀_長桿輻射巡測儀_個人劑量報警儀_表面污染檢測儀_個人劑量儀

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行業新聞

半導體探測器在儀器中的應用

2017/5/23 10:44:24

半導體探測器有兩個電極，加有一定的偏壓。當入射粒子進入半導體探測器的靈敏區時，即產生電子-空穴對。在兩極加上電壓后，電荷載流子就向兩極作漂移運動﹐收集電極上會感應出電

荷，從而在外電路形成信號脈沖。但在半導體探測器中，入射粒子產生一個電子－空穴對所需消耗的平均能量為氣體電離室產生一個離子對所需消耗的十分之一左右，因此半導體探測器比閃爍計數器和氣體電離探測器的能量分辨率好得多。半導體探測器的靈敏區應是接近理想的半導體材料，而實際上一般的半導體材料都有較高的雜質濃度，必須對雜質進行補償或提高半導體單晶的純度。通常使用的半導體探測器主要有結型、面壘型、鋰漂移型和高純鍺等幾種類型。金硅面壘型探測器1958年首次出現，鋰漂移型探測器60年代初研制成功，同軸型高純鍺(HPGe)探測器和高阻硅探測器等主要用于能量測量和時間的探測器陸續投入使用，半導體探測器得到迅速的發展和廣泛應用。
結型探測器 　結構類似結型半導體二極管，但用于探測粒子時要加上足夠的反向偏壓。這時電子和空穴背著PN結移動而形成靈敏區。結型探測器一般采用硅單晶。這是因硅具有較大的禁帶寬度，可用以保證在室溫下工作時有足夠小的漏電流。此外它的靈敏層厚度一般只有1毫米左右，故只適于探測穿透力較小的帶電粒子。

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